2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[18p-B11-1~14] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2019年9月18日(水) 13:15 〜 17:00 B11 (B11)

小林 正治(東大)、右田 真司(産総研)、若林 整(東工大)

15:15 〜 15:30

[18p-B11-8] モノリシック3次元CMOS集積に向けたGe-On-Insulator技術

前田 辰郎1、石井 裕之1、張 文馨1、入沢 寿史1、倉島 優一1、高木 秀樹1、内田 紀行1 (1.産総研)

キーワード:ゲルマニウム、CMOS、Monolithic 3D

M3D Ge-CMOSに向けたフルウエハースケールでの積層化と薄膜化されたGe層の電子物性と結晶性等を評価したので報告する。