[18p-B11-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18p-B11-8] モノリシック3次元CMOS集積に向けたGe-On-Insulator技術

〇前田 辰郎¹、石井 裕之¹、張 文馨¹、入沢 寿史¹、倉島 優一¹、高木 秀樹¹、内田 紀行¹ (1.産総研)

キーワード：ゲルマニウム、CMOS、Monolithic 3D

M3D Ge-CMOSに向けたフルウエハースケールでの積層化と薄膜化されたGe層の電子物性と結晶性等を評価したので報告する。