2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 B31 (B31)

赤羽 浩一(NICT)、藤川 紗千恵(東京電機大)、小島 信晃(豊田工大)

17:00 〜 17:15

[18p-B31-13] GaAs基板上に作製したマイクロレンズ

今岡 達哉1、神原 誉1、佐々木 大志1、下村 哲1 (1.愛大工)

キーワード:GaAs、エッチング、マイクロレンズ

GaAs基板にマスクをした第一エッチング、マスクを外しておこなう第二エッチングにより、赤外面発光レーザーやLED用の集光レンズを作製することをめざした。リン酸系エッチャントのエッチング時間を調整しマイクロレンズを作製する条件を見出し、集光できることを実証した。