[18p-B31-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18p-B31-15] Equilibrium shapes of faceted GaN under metalorganic vapor phase epitaxy condition: Wulff construction using absolute surface energies

〇Yuki Seta¹, Abdul-Muizz Pradipto¹, Toru Akiyama¹, Kohji Nakamura¹, Tomonori Ito¹ (1.Mie Univ.)

Keywords:Nitride semiconductor, Wulff construction

本研究では、ファセットの形成機構およびアスペクト比の成長条件依存性を理論的に理解するために、様々な面方位における表面エネルギーを用いてWulffの作図を行い、平衡形状を構築することでナノ構造における形状予測および各形状におけるアスペクト比と成長条件との関係性を検討する。