[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-16] MOVPE条件下におけるⅢ族窒化物半導体無極性面の熱力学解析

〇清水 紀志¹、瀬田 雄基¹、アブドルムィッツ プラディプト¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹、草場 彰²、寒川 義裕^3,4 (1.三重大院工、2.学習院大計算セ、3.九大応力研、4.名大未来研)

キーワード：窒化物半導体、第一原理計算、熱力学解析

窒化物半導体は発光デバイスへの応用が期待されているが、c軸に沿った内部電界の影響によりその発光効率が低下するという問題点がある。そこで、c軸から成長方向を傾けた無極性面を成長面とした結晶成長が注目を集めている。本研究では、MOVPE条件下における結晶成長を理論的に議論するために、第一原理計算に基づき算出された表面エネルギーを熱力学的に解析する手法を用いて、成長条件と極性との関係性を議論する。