[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-6] P-As相互拡散を用いたInP(311)B基板上への自己形成量子ドット成長

〇赤羽 浩一¹、松本 敦¹、梅沢 俊匡¹、山本 直克¹ (1.情通機構)

キーワード：量子ドット、自己形成、分子線エピタキシー

S-Kモードを用いた自己形成量子ドットはIII-V族化合物半導体で盛んに研究され、量子ドットのサイズ、密度、発光波長などの制御について様々な手法が開発されている。本研究ではこれまでの自己形成量子ドットの手法とは異なるV族原子の相互拡散による量子ドットの形成法を検討したのでこれを報告する。