[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-7] GaAs基板上メタモルフィックInAs量子ドットの1.6μm帯発光

〇ZHAN WENBO¹、石田 悟己²、權 晋寛¹、渡邉 克之¹、岩本 敏^1,3、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東大先端研、3.東大生研)

キーワード：量子ドット、メタモルフィック

メタモルフィック手法で長波長帯InAs/GaAs量子ドットを成長した。GaAs基板上に5ステップのプグレーデッドInGaAsメタモルフィックバッファ層を成長し、InAs量子ドットがその上に成長された。[-1 1 0]と[1 1 0]の二方向で、メタモルフィックInGaAsの異なる歪緩和状態を逆格子マッピングが確認された。この異なる歪緩和状態が室温でメタモルフィック量子ドットの長波長帯発光の観測に有利だと考えられる。量子ドットからの1.6μm帯室温PL発光波長も観測された。