[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-8] 三重層構造を有するInAs/GaAs長波長帯量子ドット

〇ZHAN WENBO¹、權 晋寛¹、渡邉 克之¹、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研)

キーワード：量子ドット、二重層構造、三重層構造

Oバンドの高性能InAs/GaAs量子ドットレーザが既に報告されていた。近年、長波長帯InAs量子ドットに関する研究も多く報告されてきた。二重層構造を有する量子ドットを用いた長波長量子ドットレーザの報告もあったが、その波長は1.5μmを超えなかった。より長い発光波長を得るため、三重層構造を有する量子ドットの新たな構造を考案し、実際に成長して、二重層構造を有する量子ドットより長い発光波長が確認されたので報告する。