2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 B31 (B31)

赤羽 浩一(NICT)、藤川 紗千恵(東京電機大)、小島 信晃(豊田工大)

15:45 〜 16:00

[18p-B31-9] GaAsSb/GaAs 量子ドット形成における成長速度の影響

樗木 悠亮1,2、庄司 靖3、宮下 直也1、岡田 至崇1,2 (1.東大先端研、2.東大院工、3.産総研)

キーワード:量子ドット、ガリウムアンチモン