[18p-B31-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-B31-9] GaAsSb/GaAs 量子ドット形成における成長速度の影響

〇樗木 悠亮^1,2、庄司 靖³、宮下 直也¹、岡田 至崇^1,2 (1.東大先端研、2.東大院工、3.産総研)

キーワード：量子ドット、ガリウムアンチモン