[18p-C212-1~6] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-C212-1] 電子線照射フォトルミネッセンスによるSi中の低濃度炭素定量法のラウンドロビン・テスト

〇田島 道夫^1,2,3、佐俣 秀一^1,4、中川 聰子^1,5、織山 純¹、石原 範之^1,6 (1.（社）新金属協会、2.JAXA宇宙研、3.明治大、4.SUMCO、5.グローバルウェーハズ・ジャパン、6.みずほ情報総研)

キーワード：炭素不純物、ラウンドロビン測定、フォトルミネッセンス

Si結晶中の低濃度炭素を定量する手段である発光活性化フォトルミネッセンス法の国際標準化を目的とし，同手法のラウンドロビン測定を実施した．測定条件はJISで規定されているドナー・アクセプタ不純物の定量法に準拠し，n型50 ohm-cm以上のMCZ結晶について炭素起因発光の相対強度比とSIMSによる炭素濃度との関係を調べた結果，参加10機関でほぼ同一の相関が得られ，これを基に検量線を作成した．