2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[18p-C309-1~13] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2019年9月18日(水) 13:45 〜 17:15 C309 (C309)

荻野 明久(静大)、布村 正太(産総研)

16:15 〜 16:30

[18p-C309-10] Krガス圧を変化させてスパッタしたAg薄膜の比較

相良 僚佑1、川村 みどり1、木場 隆之1、阿部 良夫1、金 敬鎬1 (1.北見工業大学)

キーワード:Kr、ガス圧、銀薄膜

Arガス下での成膜ではガス圧に比例して得られる金属薄膜の特性は低下するとされている。しかし、Krガス下での成膜時のガス圧の影響はあまり調査されていない。そこで本研究では、異なるKrガス圧下で膜厚 150nmのスパッタAg薄膜を作成し、その特性を比較した。ガス圧1mTorrと2mTorrでのスパッタAg薄膜を比較すると、薄膜の特性に大きな差はないが、1mTorrでの成膜では特性の分布幅が広く、2mTorrでの成膜の方が適していると考えられる。