[18p-C309-1~13] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [18p-C309-9] MgOとCターゲットを用いたスパッタ成膜温度変化に対する透明導電膜の抵抗率と結晶性

〇宮澤 拓陽¹、落合 勇太¹、鈴木 尋之¹、星野 渉¹、後藤 みき¹ (1.神奈川工大工)

キーワード：MgO薄膜、透明導電膜、RFマグネトロンスパッタリング

本研究では、ITOの代替え材料としてMgOに注目し、導電性を得るためにCを用い、透明導電膜の作製を目的としている。RFマグネトロンスパッタ装置を用いて、白ガラスとSi[111]基板上にMgOとCターゲットを成膜温度を変えて成膜し、プラズマ化学気相成長(PCVD)装置でH₂とCH₄を用いてCの透明化を試み、作製した透明導電膜の抵抗率とXRDにより結晶性について検討した。