[18p-E101-1~7] Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity of Nitride Semiconductors -Development of New Functionality and Expansion to Electronic and Optical Devices-

[18p-E101-6] Progress and Prospect of GaN-based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

〇Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:Nitride, VCSEL

本講演では、窒化物半導体におけるヘテロ接合界面の「アンチ分極ドーピング」や低抵抗トンネル接合のための「同時ドーピング」という特異構造について説明するとともに、この構造を利用した面発光レーザーの特性について紹介する。