[18p-E101-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能性の発現と電子・光デバイスへの展開～

[18p-E101-6] GaN系面発光レーザーの進展と応用展開

〇竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名大)

キーワード：窒化物、面発光レーザー

本講演では、窒化物半導体におけるヘテロ接合界面の「アンチ分極ドーピング」や低抵抗トンネル接合のための「同時ドーピング」という特異構造について説明するとともに、この構造を利用した面発光レーザーの特性について紹介する。