2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[18p-E214-1~13] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2019年9月18日(水) 13:15 〜 17:00 E214 (E214)

中村 芳明(阪大)、塩見 淳一郎(東大)、馬場 寿夫(JST)

13:30 〜 13:45

[18p-E214-2] 独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化

〇(D)谷口 達彦1、寺田 吏1、石部 貴史1、中村 芳明1 (1.阪大院基礎工)

キーワード:ナノ構造、SiGe、熱電変換