The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

Joint Session M » 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[18p-E214-1~13] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

Wed. Sep 18, 2019 1:15 PM - 5:00 PM E214 (E214)

Yoshiaki Nakamura(Osaka Univ.), Junichiro Shiomi(Univ. of Tokyo), Toshio Baba(JST)

1:45 PM - 2:00 PM

[18p-E214-3] Low thermal conductivity of BaSi2 film /Si and its thermal transport

Takafumi Ishibe1, Suguru Yachi2, Yudai Yamashita2, Takuma Sato2, Takashi Suemasu2, Yoshiaki Nakamura1 (1.Osaka Univ., 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:Thermal conductivity, Silicide, Thin film

IoT, IoHセンサ用電源として、自立発電可能な熱電発電に期待が集まっている。また、センサが実装されるSiプラットフォームとの整合性、小型の点で、Si基板上薄膜熱電材料は最適と言える。我々は、複雑結晶構造由来の極小熱伝導率を示すことで知られるBaSi2に注目した。今回、Si基板上BaSi2薄膜の熱伝導率に注目して熱電性能を評価し、さらに熱輸送機構を明らかにするために熱伝導率について、第一原理計算を用いた理論検討を行った。