[18p-E214-1~13] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[18p-E214-2] 独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化

〇(D)谷口 達彦¹、寺田 吏¹、石部 貴史¹、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：ナノ構造、SiGe、熱電変換