[18p-E216-1~10] 10.4 Semiconductor spintronics, superconductor, multiferroics

△ [18p-E216-10] Electric-field control of electron-spin injection into p-doped InGaAs quantum dots

〇Soyoung Park¹, Hang Chen¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:Quantum Dot, Electric-field, spin injection

pドーピングによりQDへ正孔を供給することでQDの電子スピン偏極度が増加することに着目し,QWとトンネル結合したpドープInGaAs QDを用いた電界印加型素子を作製してQWからQDへの電子スピン注入におけるスピン特性とその偏極度の電界制御について研究した.