[18p-E216-1~10] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[18p-E216-9] 励起子型量子ゲートシミュレーター手法による量子ドット発光解析

〇曽我部 東馬^1,2,3、斯波 廣大^2,3、坂本 克好²、山口 浩一² (1.電通大 i-PERC、2.電通大 基盤理工、3.(株) グリッド)

キーワード：量子ビット、量子ゲート、量子ドット

量子ゲート型量子コンピュータ上で計算する最適化アルゴリズムとして断熱量子計算アルゴリズムが開発されている。本研究では我々は温度変化によって生じる量子ドットの系における励起子間での量子相転移を利用した励起子型量子ゲートシミュレーター手法を開発した。また当手法をGaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性の実験解析に応用し、量子相転移が由来する量子ドットの発光強度スペクトルの特徴再現による検証結果を報告する。