[18p-E303-1~11] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[18p-E303-4] Monte Carlo Simulations of Single-Layer MoS₂ under 3D Device Structures

〇(M2)Shuta Okada¹, Katsuhisa Yoshida¹, Nobuyuki Sano¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:monte carlo simulation, monoatomic layer, coulomb interaction

単原子層MoS₂をチャネルとしたFET構造に対して，ゲートやソース/ドレインまで含めた3次元モンテカルロ(MC)デバイスシミュレータの構築を行った．当該シミュレータによって得られた熱平衡状態でのポテンシャル分布及びキャリア密度分布が，ドリフト拡散法の結果をよく再現することから，MC法とクーロン長距離成分が適切に抽出されたポアソン方程式との自己無撞着計算に成功していると考えられる．