[18p-E303-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-E303-7] フォトダイオードにおけるアバランシェ増倍現象のシミュレーション解析

〇(M1)屋嘉部 太志¹、鎌倉 良成²、森 伸也¹ (1.阪大工、2.大阪工大)

キーワード：半導体、フォトダイオード、シミュレーション