[18p-E303-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [18p-E303-8] TID影響下におけるMOSFETモデルの検討

〇大島 佑太¹、安藤 幹¹、吉田 僚一郎¹、平川 顕二¹、岩瀬 正幸¹、小笠原 宗博¹、依田 孝¹、石原 昇¹、伊藤 浩之¹ (1.東工大)

キーワード：TID効果、MOSFET、シミュレーションモデル

我々は放射線の長期間照射でMOSFETの特性を顕著に変動させるTID効果をシミュレーションモデル化し，回路設計レベルの対策検討に活用する研究を進めている．本研究では，TID効果の中でもSTIを始めとする素子分離酸化膜への電荷トラップが原因となるRINCEに着目し，MOSFETの特性変動モデルを検討した．特性劣化の実測値にモデルをフィッティングすることで，RINCEによる特性劣化の傾向を再現した．