[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-E304-3] FLAとフッ素の共注入を用いたGe中のn型不純物の拡散制御と高活性化技術

〇谷村 英昭¹、河原崎 光¹、青山 敬幸¹、加藤 慎一¹、野崎 仁秀¹、和田 涼太²、樋口 隆弘²、永山 勉²、黒井 隆² (1.SCREENｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ、2.日新イオン機器)

キーワード：FLA、ゲルマニウム、高活性化

近年、ゲルマニウム(Ge)を基材としたデバイスの研究が盛んに行われている。課題としては、(i) n型不純物の拡散係数が大きく、拡散制御(抑制)が困難であること、(ii) 活性化率が低いこと、等が挙げられる。本報告では、フッ素(F)を共注入した試料に対しFLA処理することで、不純物の拡散を制御し、かつ高活性な接合形成ができたので報告する。