[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-E304-4] シリコン表面における三塩化ホウ素ガスの化学反応

〇室井 光子¹、山田 彩未¹、齋藤 あゆ美¹、羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：エピタキシャル成長、シリコン、ドーピング

半導体Si薄膜を化学気相堆積法により形成する工程においては、ドーピングをして抵抗率を調整する必要がある。p型で主に使用されているジボラン(B₂H₆)は可燃性・毒性を有し、危険性が高く、特定高圧ガスに指定されるなど、取扱いには注意を要する。これに対して、安全なドーピングガスとして三塩化ホウ素(BCl₃)が挙げられる。BCl₃は刺激臭があるものの不燃性であり、B₂H₆より安全である。但し、BCl₃はエッチングガスとして広く知られていることから、ドーピングの際にエッチングも伴う可能性がある。そこで本研究では、BCl₃をSi製膜のBドーピングに用いるため、Si基板表面における化学反応を調べたので詳細に報告する。