[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-E304-5] 室温プラズマCVDによるSiC_xN_yO_z膜形成速度における電流値の記述

渡部 亨¹、〇堀 健太¹、羽深 等¹ (1.横国大院理工)

キーワード：プラズマCVD、電流、SiCxNyOz

SiC_xN_yO_z膜は、耐久性及び耐熱性と耐酸性を向上させる保護膜材料として幅広く応用できると期待されている。室温でSiC_xN_yO_z膜を製膜できれば、融点の低い材料にも適用可能になる。本研究では、アルゴン(Ar)プラズマ中にモノメチルシラン(SiH₃CH₃, MMS)ガスと窒素(N₂)ガスを供給することにより室温で形成される非晶質SiC_xN_yO_z膜の膜厚をMMS, N₂, Arガスの分圧と電流値の積で記述した関係式を提案した。