[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-10] 六方晶窒化ホウ素上のVO₂における抵抗跳躍の電極間距離依存性

〇玄地 真悟¹、山本 真人¹、神吉 輝夫¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.物材機構)

キーワード：金属-絶縁体相転移、抵抗跳躍、六方晶窒化ホウ素

二酸化バナジウム（VO₂）は金属-絶縁体相転移を示し、我々は層状物質である六方晶窒化ホウ素上でVO₂薄膜を成長させ、本研究ではその抵抗変化の電極間距離依存性を調べた。その結果、多くの抵抗の跳躍が転移温度近傍で見られ、抵抗跳躍はVO₂の絶縁体状態と同じオーダーで観測された。さらに、電極間距離を数µmまで縮めると抵抗変化の最大値は増加した。この結果はµmスケールで急峻な抵抗変化素子の実現を大いに期待させる。