[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-12] VO₂モットトランジスタにおける微細化の影響

〇矢嶋 赳彬^1,2、佐俣 勇祐¹、西村 知紀¹、田中 貴久¹、内田 建¹、鳥海 明¹ (1.東大、2.JSTさきがけ)

キーワード：金属絶縁体転移、不均質性、スティープスロープ

理想的なモットトランジスタは、チャネル材料の金属絶縁体転移によって、急峻にON/OFFスイッチングすると期待されてきた。しかし実デバイスでは、金属絶縁体転移に本質的な「不均質性」のため、緩慢なスイッチング特性しか得られない。本研究では、VO₂をチャネルとするモットトランジスタにおいて、チャネル長を金属絶縁体転移の「不均質性」の長さスケールまで微細化することで、急峻なスイッチング特性が得られることを明らかにした。