2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 E311 (E311)

松野 丈夫(阪大)、服部 梓(阪大)

14:30 〜 14:45

[18p-E311-6] EuNbO3-xNx 薄膜における負の磁気抵抗効果

丸山 敬裕1、近松 彰1、廣瀬 靖1、片山 司1、長谷川 哲也1 (1.東大院理)

キーワード:酸窒化物、薄膜、磁気抵抗

Eu2+(4f 7)を含む酸化物は、その局在したスピンにより多彩な物性を示すことが知られている。EuNbO2N は、-99%を超える巨大な負の磁気抵抗が報告されていたが、これまでは粉末焼結体のみの合成例のみであった。輸送・磁気特性の詳細な解明には、粒界散乱のない単結晶薄膜の作製が望まれる。そこで本研究ではEuNbO3-xNx 単結晶薄膜を作製し、その磁気抵抗効果について調べた。