2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月18日(水) 13:15 〜 18:00 E311 (E311)

松野 丈夫(阪大)、服部 梓(阪大)

14:45 〜 15:00

[18p-E311-7] 新高温強磁性半導体:希土類単酸化物GdO

〇(M2)山本 卓1、神永 健一2、斎藤 大地1、岡 大地1、福村 知昭1,2,3 (1.東北大院理、2.東北大WPI-AIMR & Core Research Cluster、3.東北大CSIS・CSRN)

キーワード:強磁性、半導体、エピタキシャル

電気的に磁性を制御できる強磁性半導体は重要なスピントロニクス材料の一つである。しかし、高いキュリー温度(TC)と強い自発磁化、の両方を満たす材料は皆無だった。我々は、異常原子価Gd2+を持つGdO薄膜のエピタキシャル合成に初めて成功し、高いTC(279K)と強い自発磁化をともに満たす強磁性半導体であることを発見した。GdOはn型半導体であり、自発磁化とTCはキャリア濃度に依存した。