[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-1] GaNエピ膜のTR-PL遅い減衰成分におけるSi濃度依存

〇加藤 正史^1,2、浅田 貴斗¹、朱 帥¹、伊藤 健治³、冨田 一義³、成田 哲生³、加地 徹² (1.名工大、2.名大、3.豊田中研)

キーワード：GaN、TR-PL

我々はn 型GaN エピ膜からの時間分解フォトルミネッセンス(TR-PL)信号に、遅い減衰成分が
存在することを報告してきた。また、それら遅い減衰成分のうち数百μs の時定数を有する成分
が、窒素サイト炭素(CN−)に起因する正孔トラップ（H1 トラップ）によるものであることを報告し
てきた。一方で、キャリア再結合現象には励起キャリアのみならず平衡状態でのキャリア濃度
が関わる。そのため、再結合現象に対するドナー不純物濃度依存性も理解することが、デバイス
設計においては重要である。そこで本研究では、TR-PLの遅い減衰成分に対するSi 濃度依存性を
観測した。