The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Wed. Sep 18, 2019 1:00 PM - 6:00 PM N302 (N302)

Masashi Kato(Nagoya Inst. of Tech.), Taketomo Sato(Hokkaido Univ.)

3:30 PM - 3:45 PM

[18p-N302-10] Threshold Voltage Shift of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Induced by Gamma-ray Irradiation and its Dependence on Measurement Pulse Width

Koki Tsurimoto1, Masahiro Horita1,2, Jun Suda1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:GaN, HEMT, gamma-ray

GaN HEMTは宇宙空間や原子炉、加速器などの過酷な放射線環境下に適用可能な耐放射線デバイスとして期待されている。我々は、市販p-GaN/AlGaN/GaNノーマリオフHEMTについて、ガンマ線による特性変化とそのメカニズム解明を目指して研究を進めている。
今回は、ガンマ線照射によって生じるVTHシフトについてパルスI-V測定を用いて詳細な解析を行ったので報告する。