The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Wed. Sep 18, 2019 1:00 PM - 6:00 PM N302 (N302)

Masashi Kato(Nagoya Inst. of Tech.), Taketomo Sato(Hokkaido Univ.)

3:45 PM - 4:00 PM

[18p-N302-11] Reduction of plasma damage in N-polar GaN HEMT fabrication process

Akihiro Hayasaka1, Ryosuke Aonuma1, Koushi Hotta1, Nanae Kanai1, Isao Makabe2, Shigeki Yoshida2, Yasuyuki Miyamoto1 (1.Tokyo Tech, 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

Keywords:N-polar GaN HEMT, plasma damage, annealing

N極性GaN HEMTは,抵抗が高いAlGaN(電子供給層)を介さずに2DEGへのコンタクトを取れ、電子供給層の厚みを任意に設計できるので、Ga極性GaN HEMTに比べ、低抵抗化、高電子濃度化に有利な可能性がある。一方で、N極性GaN HEMTは、プラズマや熱によってダメージを受けやすく、作製過程でシート抵抗が大きく劣化してしまうことを確認した。そこで、作製後のHEMTに対してアニールを行い、特性の変化を測定した。