[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-N302-13] ノーマリーオフAl₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMTのAl₂O₃膜厚によるしきい値制御

〇(M2)河端 晋作¹、アスバル ジョエル¹、徳田 博邦¹、山本 暠勇¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：AlGaN/GaN MOS-HEMT、ノーマリーオフ、しきい値電圧

AlGaN/GaN HEMTは次世代のパワー半導体として期待されている。しかし安全面の観点より、ノーマリーオフ動作が要求される。これを実現する方法の一つに、リセスゲート構造を持つAl₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMTが用いられる。Al₂O₃膜厚を厚くすればより高い正のゲート電圧を印加することができるが、しきい値電圧V_thは負にシフトし、ノーマリーオン動作になる。本研究では、再成長AlGaN層とリセス構造を有するAl₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMTを試作しAl₂O₃膜厚とV_thの依存性について検討したので報告する。