[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-N302-15] 2 色のサブバンドギャップ光を用いた過渡容量分光法によるn 型GaN 成長層中の炭素関連欠陥密度の高速定量手法

〇鐘ヶ江 一孝^1,4、成田 哲生²、冨田 一義²、加地 徹³、堀田 昌宏^1,3,4、木本 恒暢¹、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 IMaSS、4.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、炭素、深い準位

我々の提案するサブバンドギャップ光ICTSは、正孔の熱的放出時定数が大きいことに起因して長い測定時間を要した。本研究では、正孔トラップの光イオン化に用いる紫外光とは別に、測定中に適切な長波長の光照射を行い、正孔の熱的放出に加えて光励起を生じさせることで、H1トラップ密度の測定精度を保ったまま、測定時間の大幅な短縮を行った。この高速評価手法は、n型GaN中のH1トラップ密度のウェハマッピング測定に有用である。