[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [18p-N302-16] Characterization of leakage current near breakdown in AlGaN/GaN MOS-HEMTs

〇(M2)Takashi Nishitani¹, Shunsuke Kamiya¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ.)

Keywords:GaN, MOS, breakdown voltage

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性をもつ次世代のパワー半導体として期待されている。我々は前回の講演でデバイスのオン耐圧に関して報告した。しかし、デバイス破壊電圧近傍における詳細な評価はなされていなかった。本研究ではAlGaN/GaN MOS-HEMTを試作し、その直流特性およびデバイスの破壊直前におけるリーク電流特性を検討したので報告する。