[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-N302-16] MOS-HEMTの破壊電圧近傍におけるリーク電流評価

〇(M2)西谷 高至¹、神谷 俊佑¹、アスバル ジョエル¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：GaN、MOS、耐圧

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性をもつ次世代のパワー半導体として期待されている。我々は前回の講演でデバイスのオン耐圧に関して報告した。しかし、デバイス破壊電圧近傍における詳細な評価はなされていなかった。本研究ではAlGaN/GaN MOS-HEMTを試作し、その直流特性およびデバイスの破壊直前におけるリーク電流特性を検討したので報告する。