[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-3] ステップ電圧印加時の過渡電流測定によるGaN中のトラップ密度評価

〇西田 宗史¹、星井 拓也¹、片岡 寛明¹、筒井 一生²、角嶋 邦之¹、若林 整¹ (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創成研究院)

キーワード：窒化ガリウム