[18p-N302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-N302-7] Measurement accuracy of net acceptor concentration of p-type GaN by C-V method

〇(M1)Shohei Rokuno¹, Horita Masahiro^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:p-GaN, Mg, TCAD

p型GaNでアクセプタ不純物として用いられるMgの不純物準位は深いため、室温では完全にイオン化せず、応答速度も遅い。そのため、高周波C-V測定においてはアクセプタが応答できず容量値が変化することが報告されている。本研究では、TCADシミュレーションにより、p型GaNのショットキー接合のC-V特性の周波数依存性、測定される見かけの実効アクセプタ密度について検討を行った。