2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[18p-PA4-1~25] 6.2 カーボン系薄膜

2019年9月18日(水) 16:00 〜 18:00 PA4 (第一体育館)

16:00 〜 18:00

[18p-PA4-22] 水素プラズマ処理導入によるダイヤモンド(111)MOS構造の界面準位密度低減とMOSFETのチャネル移動度向上

〇(M2)桜井 海匡1、松本 翼1、長井 雅嗣1、加藤 宙光2、牧野 俊晴2、小倉 政彦2、竹内 大輔2、山崎 聡1,2、猪熊 孝夫1、C. E. Nebel1,3、德田 規夫1,2 (1.金沢大、2.産総研、3.Fraunhofer IAF)

キーワード:半導体、ダイヤモンド、MOSFET

反転層チャネルダイヤモンド MOSFET を実現したが、MOS界面の高い界面準位密度(Dit)~1013 cm-2 eV-1が原因で低いチャネル移動度(μFE)が課題となっている。本研究では、平坦化およびダングリングボンド終端によるDit低減を目的として、ウェットアニールの前処理としてダイヤモンド表面に水素プラズマ処理を行った。ダイヤモンドMOSキャパシタと反転層チャネルダイヤモンドMOSFETをそれぞれ作製し、電気的特性評価を行った。Ditの低減とμFEの向上に成功した。