[18p-PA4-1~25] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-PA4-22] 水素プラズマ処理導入によるダイヤモンド(111)MOS構造の界面準位密度低減とMOSFETのチャネル移動度向上

〇(M2)桜井 海匡¹、松本 翼¹、長井 雅嗣¹、加藤 宙光²、牧野 俊晴²、小倉 政彦²、竹内 大輔²、山崎 聡^1,2、猪熊 孝夫¹、C. E. Nebel^1,3、德田 規夫^1,2 (1.金沢大、2.産総研、3.Fraunhofer IAF)

キーワード：半導体、ダイヤモンド、MOSFET

反転層チャネルダイヤモンド MOSFET を実現したが、MOS界面の高い界面準位密度(D_it)～10¹³ cm^-2 eV^-1が原因で低いチャネル移動度(μ_FE)が課題となっている。本研究では、平坦化およびダングリングボンド終端によるD_it低減を目的として、ウェットアニールの前処理としてダイヤモンド表面に水素プラズマ処理を行った。ダイヤモンドMOSキャパシタと反転層チャネルダイヤモンドMOSFETをそれぞれ作製し、電気的特性評価を行った。D_itの低減とμ_FEの向上に成功した。