[18p-PA5-1~22] 6.4 薄膜新材料

[18p-PA5-1] 光MOD法によるNd_0.5Bi_2.5Fe_4.5Ga_0.5O₁₂薄膜作製における基板温度の影響

〇袖山 和斗¹、相場 遥佳¹、西川 雅美¹、河原 正美²、中島 智彦³、土屋 哲男³、石橋 隆幸¹ (1.長岡技術科学大学、2.高純度化学研究所、3.産業技術総合研究所)

キーワード：磁性薄膜、光MOD

現状のMOD法では、結晶成長に650℃以上の熱処理を行うため、湾曲面の磁場分布の可視化の実現に求められているフレキシブルな有機基板上への成膜は困難である。そこで、基板への熱負荷を低減できるパルスレーザーにより結晶化させる光MOD法を用いて、Nd_0.5Bi_2.5Fe_4.5Ga_0.5O₁₂薄膜の作製を行った。本発表では、基板温度を室温、350℃、450℃に設定して、結晶性に与える影響について調べた結果を報告する。