[18p-PB4-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [18p-PB4-1] HドープCZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に関する第一原理解析

〇(M1)楠木 琢也¹、末岡 浩治²、杉村 渉³、宝来 正隆³ (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.SUMCO)

キーワード：点欠陥、水素、第一原理解析