[18p-PB4-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-PB4-9] 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSiC-ショットキーバリアダイオードの評価 3

〇(M1)中山 敬太¹、増田 翔¹、佐藤 宣男¹、山本 秀和¹ (1.千葉工大工)

キーワード：パワーデバイス、走査型プローブ顕微鏡

今回，SiC-SBD(Schottky Barrier Diode)の評価を，多機能走査型プローブ顕微鏡(SPM)により行ったので報告する。デバイスは耐圧を保持するのためのn^-層，さらに，1000 V級の耐圧を実現させるため終端構造にp層を設けていることが予想される。このp層があると推測できる箇所の測定を行い，発表する予定である。