[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [18p-PB5-12] 室温パルスレーザー照射を用いた種々の基板及びバッファ層上における非晶質Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル結晶化

〇(M1)松島 拓海¹、森田 公之¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

キーワード：室温パルスレーザー照射、Ga2O3薄膜、エピタキシャル結晶化

Ga₂O₃は、α~εの多形をとるワイドギャップ半導体である。Ga₂O₃のエピタキシャル薄膜の作製には400℃を超える高温プロセスが必要とされてきたが、高温成膜は粗大な成長粒や、異種材料界面での原子拡散を生じ、積層薄膜における反応層生成など、Ga₂O₃のデバイス形成の課題となる。本研究では、エキシマレーザーアニーリングを用いた室温でのGa₂O₃結晶化における構造制御を目的として、基板やバッファ層のGa₂O₃薄膜の結晶成長に与える影響を検討した。