2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月18日(水) 16:00 〜 18:00 PB5 (第二体育館)

16:00 〜 18:00

[18p-PB5-30] UHVスパッタエピタキシー法によって成長した高配向性SnO2

安藤 毅1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)

キーワード:酸化スズ (SnO2)、ガスセンサ、スパッタ

SnO2を用いたデバイスの更なる高性能化を目的として,独自に開発した超高真空 (UHV) 高周波マグネトロンスパッタリング装置によって,Al2O3基板上にSnO2層を成長させた.その成長温度に依存した表面形態や結晶の配向性などについて評価した結果,成長温度が高い場合には平坦な表面が得られ,同時にXRDパターンにはSnO2 (200) 面のピークとAl2O3基板由来のピークのみが観測され,XRC FWHMは32 arcsecであり,高い配向性を有していることが確認できた.