[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-30] UHVスパッタエピタキシー法によって成長した高配向性SnO₂層

〇安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：酸化スズ (SnO2)、ガスセンサ、スパッタ

SnO₂を用いたデバイスの更なる高性能化を目的として，独自に開発した超高真空 (UHV) 高周波マグネトロンスパッタリング装置によって，Al₂O₃基板上にSnO₂層を成長させた．その成長温度に依存した表面形態や結晶の配向性などについて評価した結果，成長温度が高い場合には平坦な表面が得られ，同時にXRDパターンにはSnO₂ (200) 面のピークとAl₂O₃基板由来のピークのみが観測され，XRC FWHMは32 arcsecであり，高い配向性を有していることが確認できた．