[18p-PB5-1~36] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-PB5-32] 酸化物TFT向け低温SiN:F/SiO:F積層膜の固定電荷低減

〇酒井 敏彦¹、安藤 瞭太¹、瀬戸口 佳孝¹、安東 靖典¹、鮫島 俊之² (1.日新電機(株)、2.農工大工)

キーワード：酸化物TFT、固定電荷

G6サイズ誘導結合プラズマCVD装置を使用して、酸化物TFT向けSiN:F/SiO:F積層膜評価を行い、基板温度200℃の低温成膜条件で、固定電荷密度2.5×10¹¹cm^-2と良好な特性を得た。