[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-PB5-33] Reliability of two-layer IGZO TFT by inductively coupled plasma sputtering

〇Daisuke Matsuo¹, Ryoko Miyanaga², Takuya Ikeda¹, Shigeaki Kishida¹, Yoshitaka Setogucti¹, Yasunori Andoh¹, Mami Fujii², Yukiharu Uraoka² (1.NISSIN ELECTRIC, 2.NAIST)

Keywords:IGZO, TFT, sputtering

我々は、高密度IGZO膜を室温成膜することが可能なICPスパッタ装置を開発している。本装置を用いた2層IGZO構造の TFTが高い信頼性を示すことを既に確認している。本研究では、第2層成膜時の酸素分圧が、温度電圧ストレス試験（PBTS, NBTS）に於ける信頼性（ΔVth）に大きな影響を与えていることが分かった。また、酸素分圧を最適化することで、PBTS、NBTS共に高い信頼性を実現できることを確認した。