[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-PB5-34] Demonstration of a-InGaZnO TFT electrostatic potential sensors.

〇Shinnosuke Iwamatsu¹, Kazushige Takechi², Hiroshi Tanabe², Mutsuto Katoh¹ (1.Yamagata Res. Inst. Tech., 2.Tianma Japan)

Keywords:electrostatic potential sensor, a-InGaZnO TFT

半導体素子の微細化、高密度集積の進展に伴い、静電気対策の必要性が高まっている。これまで我々は、デュアルゲート型a-InGaZnO TFTのドレイン電流が帯電物の接触により変化することを確認し、静電気センシングのポテンシャルを報告している。本研究では、ボトムゲート型a-InGaZnO TFTを用いて静電気への感受性を評価したので報告する。