[18p-PB5-1~36] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [18p-PB5-9] Effect of the treated native oxides of GaN templates on ε-Ga₂O₃ epitaxial growth by mist chemical vapor deposition

〇Yusuke Ito¹, Daisuke Tahara¹, Yuta Arata¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:Gallium Oxide, Gallium Nitride, native oxide

超ワイドバンドギャップ半導体として知られている酸化ガリウム(Ga₂O₃, Eg = 約5.0 eV)は、5つの結晶構造(α、β、γ、δ、ε)を持つ結晶多形である。その中でもε-Ga₂O₃は準安定相であり、強誘電体特性や自発分極を示すなどの特性から近年注目を集めている。
本発表では、GaNテンプレート基板上の自然酸化膜に対して、BHF洗浄、酸素プラズマ処理、アニール処理を施し、その上にミストCVD法を用いてε-Ga₂O₃薄膜成長を試みた。